微流控芯片測(cè)溫測(cè)試流程

　　隨著電子芯片的不斷發(fā)展，其測(cè)試的結(jié)果以及準(zhǔn)確性也不斷提高，所以，對(duì)于微流控芯片測(cè)溫流程還是需要了解清楚才能更好的運(yùn)行微流控芯片測(cè)溫設(shè)備。

　　因?yàn)槲⒘骺匦酒瑴y(cè)溫準(zhǔn)確性要求的提高，以及減少測(cè)試時(shí)間降低測(cè)試成本的壓力，傳統(tǒng)的采用測(cè)試模式調(diào)節(jié)芯片參數(shù)的缺點(diǎn)變得明顯，當(dāng)芯片在各站點(diǎn)進(jìn)行測(cè)試時(shí)，每個(gè)站點(diǎn)均需開啟測(cè)試模式，進(jìn)行參數(shù)校準(zhǔn)，造成測(cè)試時(shí)間的浪費(fèi)；其次，通過測(cè)試模式進(jìn)行參數(shù)調(diào)節(jié)受芯片掉電的影響，需要嚴(yán)格控制芯片上電及掉電的順序；各站點(diǎn)的測(cè)試溫度不同，受測(cè)試溫度的影響，達(dá)到同一參數(shù)目標(biāo)值的調(diào)節(jié)代碼存在不同的可能性，當(dāng)采用其中一站的調(diào)節(jié)代碼進(jìn)行鐳射對(duì)產(chǎn)品的失效率有一定的影響，這種影響受芯片制造工藝的制約，存在不可控性。

　　微流控芯片測(cè)溫時(shí)，芯片起測(cè)時(shí)，芯片內(nèi)部的各項(xiàng)參數(shù)均是默認(rèn)值。受微電子制造工藝的影響，即使在相同的默認(rèn)值下，芯片的各項(xiàng)參數(shù)也處在不同的水平線上。而微小的參數(shù)差異將導(dǎo)致芯片間性能的差異，必須對(duì)所有的參數(shù)按照設(shè)計(jì)規(guī)則進(jìn)行優(yōu)化校準(zhǔn)，才能保證芯片的良好性能。因此，芯片起測(cè)后，先要對(duì)芯片各項(xiàng)參數(shù)的目標(biāo)代碼進(jìn)行尋找。

　　芯片的各站點(diǎn)測(cè)試的溫度不同，受溫度的影響，各參數(shù)的目標(biāo)代碼存在不同的可能性。當(dāng)采用電編程熔絲在測(cè)試站點(diǎn)固化參數(shù)值后，各站點(diǎn)均在該相同的固化代碼下進(jìn)行測(cè)量，即使存在參數(shù)值的偏差，也能確保測(cè)試的準(zhǔn)確性，提升了產(chǎn)品性能。 芯片參數(shù)僅需要一次性固化，有效的避免了傳統(tǒng)方法下多次寫入造成的測(cè)試時(shí)間浪費(fèi)的，并且在測(cè)試的過程當(dāng)中固化芯片參數(shù)，可以省略后續(xù)鐳射機(jī)臺(tái)的使用，縮短了測(cè)試周期。

微流控芯片測(cè)溫測(cè)試結(jié)果有利于各個(gè)芯片的結(jié)果準(zhǔn)確性，調(diào)整芯片的各項(xiàng)參數(shù)，及時(shí)有效的降低企業(yè)運(yùn)行成本。

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